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EUV技術(shù)對(duì)光源的要求
點(diǎn)擊量：672 日期：2023-09-11 編輯：硅時(shí)代
開發(fā)EUV光源面臨的最大挑戰(zhàn) 在于。如何在提高EUV光源瓦數(shù)的同時(shí)，降低等離子氣氛中微粒、高速粒子和其它污染物，否則光源將會(huì)快速惡化。EUV光源可以分為光產(chǎn)生、光收集、光譜純化三個(gè)部分 。通常來說，EUV光源的產(chǎn)生有兩種方法：激光等離子體光源fLPP1和放電等離子體光源fDPP1。LPP EUV系統(tǒng)主要包括激光器、匯聚透鏡、負(fù)載、光收集器、掩膜、投影光學(xué)系統(tǒng)和芯片。其原理是利用高功率激光加熱負(fù)載fXe或Sn)形成等離子體 ，等離子體輻射出紫外線，利用多層膜反射鏡多次反射凈化能譜，獲得13．5nm 的EUV光。DPP EUV光源利用放電使負(fù)載(xe或Sn)形成等離子體161，輻射出紫外線，利用多層膜反射鏡多次反射凈化能譜，獲得13．5nm的EUV光。
一般而言，輕的材料比重的材料在EUV 區(qū)域的吸收弱。因而有些實(shí)驗(yàn)采用摻錫的泡沫材料控制EUV發(fā)射譜。Harilal等人測量了單質(zhì)錫和摻錫的泡沫材料在13．5 nm附近的發(fā)射譜，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，摻錫的泡沫材料的等離子體連續(xù)發(fā)射降低，而13．5 nm附近的發(fā)射變窄，而且優(yōu)化的EUV發(fā)射譜所需要的錫濃度要小于1％。雖然有不少實(shí)驗(yàn)測量了氙和錫等離子體的發(fā)射譜，然而等離子體的溫度、密度等物理狀態(tài)卻很少能同時(shí)準(zhǔn)確測定，這不利于對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的理解、分析與解釋。
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